µPD416C 16k X 1 bit ram

µPD416C 16k X 1 bit ram

La NECI1PD416 est une RAM MOS dynamique de 16 384 mots sur 1 bit. Elle est conçue pour les applications mémoire où un faible coût et une grande capacité de stockage sont des objectifs de conception importants.
La NECI1PD416 est fabriquée selon un procédé de grille silicium canal N à double couche multicouche, ce qui permet une densité de cellules de stockage élevée et des performances élevées. L'utilisation de circuits dynamiques, y compris les amplificateurs de détection, garantit une dissipation de puissance minimale.
Les entrées d'adresse multiplexées permettent de loger la NECI1PD416 dans un boîtier double en ligne standard à 16 broches. Ce boîtier offre les densités de bits système les plus élevées et est disponible en céramique ou en plastique. Les exigences de synchronisation d'horloge non critiques permettent d'utiliser la technique de multiplexage tout en maintenant des performances élevées.